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电子技术基础概念

来源:大发 | 时间:2019-01-02 人气:2884
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      模拟电子技术基础 1.二极管伏安特性 iD ? IS (evD /VT ?1) 式中 IS 为反向饱和电流,VD 为二极管两端的电压降,VT =kT/q 称为温度的电压当量,k 为玻耳兹曼常数, q 为电子电荷量, T 为热力学温度。 对于室温 (相当 T=300 K) , 则有 VT=26 mV。 2.二极管的参数 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压 VBR。为安全计,在实际 工作时,最大反向工作电压 VRM 一般只按反向击穿电压 VBR 的一半计算。 3.三极管基本放大电路 共发射极接法,发射极作为公共电极,用 CE 表示;共集电极接法,集电极作为公共电极, 用 CC 表示; 共基极接法,基极作为公共电极,用 CB 表示。 4.

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